题目: Ultra-thin HfN High-k Gate Insulator for Device Application
报告人: Prof. Shun-ichiro Ohmi
日本东京工业大学 (Tokyo Institute of Technology)
主持人: 唐明华 教授
时间: 2016年11月27日15:00-17:00
地点: 图书馆报告厅
报告人简介：
Shun-ichiro Ohmi教授于1996年在日本东京工业大学获得应用物理电子专业工学博士后留校任教至今。1997年到1999年间在美国贝尔实验室以博士后的身份从事低阻硅化物研究，随后在北卡罗来纳大学进行了为期六个月的学术访问。Shun-ichiro Ohmi教授是日本文部科学省学术调查官，新能源开发机构执行官，日本电气学天津体育直播电子元件技术委员天津体育直播主席，其担任的职位负责每年数十亿人民币国家科研项目经费的审批。
Shun-ichiro Ohmi教授长期致力于CMOS的high-k金属栅与自对准硅化物工艺的产业化应用研究。首次发明了一种颠覆传统氧化物high-k金属栅、基于单一氮化铪材料的新型high-k堆叠栅(绝缘层的等效氧化物厚度EOT小于0.5 nm)的制备技术，该发明极大地简化了集成电路制造工艺，降低了芯片制造成本，在16 nm以下集成电路制备工艺中具有极大优势，已引起日本多家半导体芯片制造商的高度关注，有望在下一代3D芯片中得到应用。另外，Ohmi教授开发了能制备极低CMOS接触电阻的自对准硅化物工艺技术，该技术已经成功转让给某国际著名半导体公司，用于制备大规模集成电路产品。
湘公网安备 43030202001058号 
